[16a-K301-1~13] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

9:15 〜 9:30奨励賞エントリー

[16a-K301-2] SiC MOS界面における光誘起キャリアの室温下での極性制御

〇(D)尾和 哲大¹、三浦 晨¹、稲村 文行¹、生田 昂¹、前橋 兼三¹、生嶋 健司¹ (1.農工大院工)

キーワード：

SiC、MOS、光誘起キャリア

近年、半導体のキャリア極性を可逆的に制御する方法として光照射によるキャリアのドーピングがSi-MOS構造で報告されている。この技術を利用すれば、光プログラマブルなCMOS論理回路への展望が拓ける。しかし、室温では熱励起によるキャリア生成があるために、Si基板の冷却が必要である（< 77 K）。本研究ではワイドバンドギャップ半導体SiCを用いたSiC-MOS構造を作製し、室温下で光誘起キャリアの極性制御を実証した。