[16a-K301-1~13] 13.7 Compound and power devices, process technology and characterization

9:45 AM - 10:00 AM JST(12:45 AM - 1:00 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[16a-K301-4] Analysis of SiC MOSFET Short-circuit Failure Mechanism at Low DC Biases

〇(M1)Kaito Kashimura¹, Kazuhiro Suzuki¹, Hiroshi Yano¹, Noriyuki Iwamuro¹ (1.University of Tsukuba)

Keywords:

SiC MOSFET,short-circuit failure,gate polysilicon melting

低直流印加電圧VDS=400Vにおける最新1.2-kV SiC プレーナMOSFET負荷短絡破壊メカニズムを解析した。その結果、先行研究とは異なり、溶融したゲートポリシリコンが層間絶縁膜に発生したクラックに浸透し、ゲート・ソース電極間ショートを引き起こすことがわかった。これは、SiC MOSFETの低オン抵抗化に伴う負荷短絡電流の増大により素子内発熱が増加、その結果、ゲートポリシリコン電極の温度がその融点を超えることによって生じる、と結論付けた。