[16a-K301-1~13] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

9:45 〜 10:00奨励賞エントリー

[16a-K301-4] 低直流電圧印加時におけるSiC MOSFET負荷短絡破壊メカニズムの解析

〇(M1)鹿志村 快音¹、鈴木 一広¹、矢野 裕司¹、岩室 憲幸¹ (1.筑波大学)

キーワード：

SiC MOSFET、負荷短絡破壊、ゲートポリシリコン溶融

低直流印加電圧VDS=400Vにおける最新1.2-kV SiC プレーナMOSFET負荷短絡破壊メカニズムを解析した。その結果、先行研究とは異なり、溶融したゲートポリシリコンが層間絶縁膜に発生したクラックに浸透し、ゲート・ソース電極間ショートを引き起こすことがわかった。これは、SiC MOSFETの低オン抵抗化に伴う負荷短絡電流の増大により素子内発熱が増加、その結果、ゲートポリシリコン電極の温度がその融点を超えることによって生じる、と結論付けた。