[16a-K301-1~13] 13.7 Compound and power devices, process technology and characterization

10:30 AM - 10:45 AM JST(1:30 AM - 1:45 AM UTC)

[16a-K301-7] Characterization of SiC/SiO₂ interface states near the valence band edge by conductance method

〇Kyota Mikami¹, Mitsuaki Kaneko¹, Tsunenobu Kimoto¹ (1.Kyoto Univ.)

Keywords:

SiC MOSFET,Interface states

価電子帯端(E_V)近傍のSiC/SiO₂界面準位をコンダクタンス法で評価した結果、伝導帯端(E_C)近傍の界面準位密度に匹敵することが明らかになった。表面ポテンシャルゆらぎの標準偏差は、E_V近傍で約10 mVであり、E_C近傍の約100 mVよりも顕著に小さいことがわかった。このような平坦に近いE_V近傍のポテンシャルが、SiC MOSFETにおいてpチャネル移動度が比較的高い理由であると考えられる。