講演情報
[16a-K301-7]コンダクタンス法による価電子帯端近傍のSiC/SiO2界面準位評価
〇三上 杏太1、金子 光顕1、木本 恒暢1 (1.京都大学)
キーワード：
SiC MOSFET、界面準位
価電子帯端(EV)近傍のSiC/SiO2界面準位をコンダクタンス法で評価した結果、伝導帯端(EC)近傍の界面準位密度に匹敵することが明らかになった。表面ポテンシャルゆらぎの標準偏差は、EV近傍で約10 mVであり、EC近傍の約100 mVよりも顕著に小さいことがわかった。このような平坦に近いEV近傍のポテンシャルが、SiC MOSFETにおいてpチャネル移動度が比較的高い理由であると考えられる。