[16a-K310-1~8] 15.3 III-V-group epitaxial crystals, Fundamentals of epitaxy

11:00 AM - 11:15 AM JST(2:00 AM - 2:15 AM UTC)

[16a-K310-7] Preparation of quantum structures using stacked submonolayer growth by controlling the density of sublying quantum dots

〇Haruto Okuizumi¹, Ronel Roca¹, Itaru Kamiya¹ (1.Toyota Tech. Inst.)

Keywords:

quantum structure,submonolayer,photoluminescence

InAsとGaAsの交互積層により、量子構造体を作製するサブモノレイヤー(SML)積層法は、 従来のStranki-Krastanov法よりも、量子構造体の詳細な成長制御が可能である。本研究では、下地層に量子ドット(QD)を埋め込み、QD密度の調整によるSML積層法の成長制御を検討した。高密度のQDによる歪場によって、SML積層中に高いIn濃度の領域が形成されることが示唆された。