講演情報
[16a-K310-7]サブモノレイヤー積層法における埋め込み量子ドット密度調節による量子構造成長制御
〇奥泉 陽斗1、ロカ ロネル1、神谷 格1 (1.豊田工大)
キーワード：
量子構造、サブモノレイヤー、フォトルミネッセンス
InAsとGaAsの交互積層により、量子構造体を作製するサブモノレイヤー(SML)積層法は、 従来のStranki-Krastanov法よりも、量子構造体の詳細な成長制御が可能である。本研究では、下地層に量子ドット(QD)を埋め込み、QD密度の調整によるSML積層法の成長制御を検討した。高密度のQDによる歪場によって、SML積層中に高いIn濃度の領域が形成されることが示唆された。