[16a-K310-1~8] 15.3 III-V-group epitaxial crystals, Fundamentals of epitaxy

11:15 AM - 11:30 AM JST(2:15 AM - 2:30 AM UTC)

[16a-K310-8] Emission Changes in InAs/GaAsSb Superlattices Fabricated by Metal-Organic Vapor Phase Epitaxy with As Composition

〇(M1)Masaharu Okuda¹, Masakazu Arai¹, Takeshi Fuzisawa², Hidetoshi Suzuki¹, Koji Maeda¹ (1.Miyazaki Univ., 2.Hosei Univ.)

Keywords:

InAs/GaAsSb superlattice,Metal-organic vapor phase epitaxy,Photoluminescence method

本研究では MOVPE 法で作製した As組成の異なる2つのInAs 基板上のInAs/GaAsSb：2.8/13.4 15QW超格子の発光スペクトルをフォトルミネッセンス法で測定し、k･p 摂動法で求めた計算値と比較した。計算より20Kでの範囲でキャリア濃度を仮定すればPLスペクトルの温度変化はほぼ表現できた。また、それぞれのピーク波長は 計算と試料でAs組成に差があるが、最大200 nm程度の差でよく一致した。