講演情報
[16a-K310-8]有機金属気相成長法によって作製されたInAs/GaAsSb 超格子の
As組成比による発光の変化
〇(M1)奥田 大晴1、荒井 昌和1、藤澤 剛2、鈴木 秀俊1、前田 幸治1 (1.宮崎大工、2.法政大理工)
キーワード：
InAs/GaAsSb 超格子、有機金属気相成長法、フォトルミネッセンス法
本研究では MOVPE 法で作製した As組成の異なる2つのInAs 基板上のInAs/GaAsSb：2.8/13.4 15QW超格子の発光スペクトルをフォトルミネッセンス法で測定し、k･p 摂動法で求めた計算値と比較した。計算より20Kでの範囲でキャリア濃度を仮定すればPLスペクトルの温度変化はほぼ表現できた。また、それぞれのピーク波長は 計算と試料でAs組成に差があるが、最大200 nm程度の差でよく一致した。