[16a-K508-1~11] 13.5 Semiconductor devices/ Interconnect/ Integration technologies

11:45 AM - 12:00 PM JST(2:45 AM - 3:00 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[16a-K508-11] Evaluation of Lateral Distribution of Si Strain around TSV by Micro-Raman Spectroscopy

〇Ryota Fujimori¹, Yuta Ito¹, Ryo Yokogawa², Atsushi Ogura^1,2, Rikiichi Ohno³, Koichiro Saga³, Hayato Iwamoto³ (1.Meiji Univ., 2.MREL, 3.Sony Semiconductor Solutions)

Keywords:

Through Silicon Via,Raman Spectroscopy,Si Strain

3次元チップ積層技術に不可欠な配線技術であるThrough Silicon Via (TSV)は、周囲のSiに複雑な歪を誘起し、この領域に作製するトランジスタ特性に多大な影響を及す。TSVが及ぼす歪の距離や大きさの理解は重要な課題であるが、試料加工に伴う歪緩和が生じるため、歪の詳細な理解が難しい。本研究ではラマン分光法を用いて、TSV周辺のSiの歪を測定し、試料断面位置の影響を評価した。