[16a-K508-1~11] 13.5 デバイス／配線／集積化技術

11:45 〜 12:00奨励賞エントリー

[16a-K508-11] 顕微ラマン分光法によるTSV周辺Si歪の横方向分布評価

〇藤森 涼太¹、伊藤 佑太¹、横川 凌²、小椋 厚志^1,2、大野 力一³、嵯峨 幸一郎³、岩元 勇人³ (1.明治大理工、2.明大MREL、3.ソニーセミコンダクタソリューションズ)

キーワード：

Si貫通電極、ラマン分光法、Si歪

3次元チップ積層技術に不可欠な配線技術であるThrough Silicon Via (TSV)は、周囲のSiに複雑な歪を誘起し、この領域に作製するトランジスタ特性に多大な影響を及す。TSVが及ぼす歪の距離や大きさの理解は重要な課題であるが、試料加工に伴う歪緩和が生じるため、歪の詳細な理解が難しい。本研究ではラマン分光法を用いて、TSV周辺のSiの歪を測定し、試料断面位置の影響を評価した。