[16a-K508-1~11] 13.5 Semiconductor devices/ Interconnect/ Integration technologies

9:45 AM - 10:00 AM JST(12:45 AM - 1:00 AM UTC)

[16a-K508-4] Cu-deposition on Shallow-trench by Area-selective CVD using CuI-precursor

〇Yu Miyamoto¹, Satoshi Yamauchi¹ (1.Ibaraki Univ.)

Keywords:

Metallization process,Area-selective Cu-deposition,Chemical vapor deposition

ヨウ化銅（Ⅰ）（CuI）は、真空中で300 °C程度に加熱すると面内安定構造をもつ三量体として昇華する。この気化形態で金属上に供給されると、カチオンであるCuと金属表面の自由電子間のクーロン引力により、金属上へのみ選択的な吸着と分解が生じ選択的にCu層が形成される。我々はこの手法を用いて微細加工パターン上への積み上げ配線を提案しており、前回は、この提案プロセスに適する微細加工可能なCuバリアメタルであるTa表面の酸化・還元機構とTa上でのCu堆積形態の成長条件依存性について報告した。今回は、Taを下地とする微細加工SiO2 Shallow-trench上でのCuの選択成長の形態について調査したので報告する。