講演情報
[16a-K508-4]CuIを原料とする選択CVD法によるShallow-trench上へのCu成長
〇宮本 裕1、山内 智1 (1.茨城大院)
キーワード：
配線形成技術、銅の選択形成、化学気相堆積法
ヨウ化銅（Ⅰ）（CuI）は、真空中で300 °C程度に加熱すると面内安定構造をもつ三量体として昇華する。この気化形態で金属上に供給されると、カチオンであるCuと金属表面の自由電子間のクーロン引力により、金属上へのみ選択的な吸着と分解が生じ選択的にCu層が形成される。我々はこの手法を用いて微細加工パターン上への積み上げ配線を提案しており、前回は、この提案プロセスに適する微細加工可能なCuバリアメタルであるTa表面の酸化・還元機構とTa上でのCu堆積形態の成長条件依存性について報告した。今回は、Taを下地とする微細加工SiO2 Shallow-trench上でのCuの選択成長の形態について調査したので報告する。