[16a-K508-1~11] 13.5 Semiconductor devices/ Interconnect/ Integration technologies

11:15 AM - 11:30 AM JST(2:15 AM - 2:30 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[16a-K508-9] Development of Solid-Phase Bonding Method of Metals using High-Density Hydrogen Plasma

〇Reo Yasuda¹, Masato Ota¹, Hiroaki Kakiuchi¹, Hiromasa Ohmi¹ (1.Osaka Univ.)

Keywords:

TSV,semiconductor,plasma

電子デバイス分野では、三次元集積化のためTSV配線に用いられるCuやAg等の直接接合技術が必要とされており、デバイスにダメージレスな低温、低接合圧下での強固な接合の実現が目標となる。我々はこれまで、高密度水素プラズマ誘起Agナノ細孔表面の比較的低いアニール温度での易動性を報告してきた。本研究では、これを利用した金属の低温固相接合技術を提案する。今回は、水素プラズマ処理が直接固相接合に及ぼす影響を調べた。