[16a-K508-1~11] 13.5 デバイス／配線／集積化技術

11:15 〜 11:30奨励賞エントリー

[16a-K508-9] 高密度水素プラズマを用いた金属固相接合法の開発

〇安田 怜央¹、太田 雅斗¹、垣内 弘章¹、大参 宏昌¹ (1.阪大院工)

キーワード：

TSV、半導体、プラズマ

電子デバイス分野では、三次元集積化のためTSV配線に用いられるCuやAg等の直接接合技術が必要とされており、デバイスにダメージレスな低温、低接合圧下での強固な接合の実現が目標となる。我々はこれまで、高密度水素プラズマ誘起Agナノ細孔表面の比較的低いアニール温度での易動性を報告してきた。本研究では、これを利用した金属の低温固相接合技術を提案する。今回は、水素プラズマ処理が直接固相接合に及ぼす影響を調べた。