[16a-Y1311-1~9] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

10:30 AM - 10:45 AM JST(1:30 AM - 1:45 AM UTC)

[16a-Y1311-6] Ultra-Thin In₂O₃ Films Deposited by Mist CVD Method Using InCl₃

〇(M1C)Ryo Ishikawa¹, Yuya Hayashi¹, Shinya Aikawa¹, Takeyoshi Onuma¹, Tohru Honda¹, Tomohiro Yamaguti¹ (1.Kogakuin Univ.)

Keywords:

semiconductor,In2O3,Mist CVD

本研究では, Mist CVD法によるSiO₂/Si基板へのIn₂O₃成膜において, 金属粉末にInCl₃を用い, 溶液中のInCl₃濃度を減少させることによる薄膜化, 表面粗さの改善を検討した. 原料溶液中のInCl₃濃度を減少させることで薄膜化し, 表面粗さが改善することを確認した. また, 膜厚10 nm程度の極薄膜In₂O₃成膜を実現した.当日はIn₂O₃薄膜の電気的特性や膜構造に関する包括的な議論を行う.