講演情報
[16a-Y1311-6]InCl3を用いたMist CVD法による極薄膜In2O3成膜
〇(M1C)石川 諒1、林 佑哉1、相川 慎也1、尾沼 猛儀1、本田 徹1、山口 智広1 (1.工学院大)
キーワード：
半導体、酸化インジウム、Mist CVD
本研究では, Mist CVD法によるSiO2/Si基板へのIn2O3成膜において, 金属粉末にInCl3を用い, 溶液中のInCl3濃度を減少させることによる薄膜化, 表面粗さの改善を検討した. 原料溶液中のInCl3濃度を減少させることで薄膜化し, 表面粗さが改善することを確認した. また, 膜厚10 nm程度の極薄膜In2O3成膜を実現した.当日はIn2O3薄膜の電気的特性や膜構造に関する包括的な議論を行う.