[16p-K202-1~12] Atomic Layer Process (ALP) analysis and application technologies

2:30 PM - 2:45 PM JST(5:30 AM - 5:45 AM UTC)

[16p-K202-3] Development of high vapor pressure metal complexes for ALD

〇Noboru Sato¹, Naoyuki Hoshiya², Akiyoshi Yamauchi², Shigehito Sagisaka², Yosuke Kishikawa², Yuxuan Wu¹, Jun Yamaguchi¹, Atsuhiro Tsukune¹, Yukihiro Shimogaki¹ (1.The Univ. of Tokyo, 2.DAIKIN Industries, LTD)

Keywords:

Atomic layer deposition,precursor design

ALDでは金属原料として有機金属錯体が多く用いられている。ALDによる製膜特性は金属錯体の種類によって大きく変わるので、様々な新規金属錯体の開発が行われている。我々はCOSMO-SAC法にいくつかの修正を施し、高精度に蒸気圧を推算する方法を確立した。本講演では蒸気圧の高いCo金属錯体を予測し、さらにニューラルネットワークポテンシャルを利用して、候補物質の反応性を解析した結果を報告する。