[16p-K202-1~12] 原子層プロセス（ALP：Atomic Layer Process）の解析技術と応用技術

14:30 〜 14:45

[16p-K202-3] ALD用高蒸気圧金属錯体の開発と反応性の予測

〇佐藤 登¹、星谷 尚亨²、山内 昭佳²、匂坂 重仁²、岸川 洋介²、呉 宇軒¹、山口 潤¹、筑根 敦弘¹、霜垣 幸浩¹ (1.東大院工、2.ダイキン工業(株))

キーワード：

原子層堆積法、原料設計

ALDでは金属原料として有機金属錯体が多く用いられている。ALDによる製膜特性は金属錯体の種類によって大きく変わるので、様々な新規金属錯体の開発が行われている。我々はCOSMO-SAC法にいくつかの修正を施し、高精度に蒸気圧を推算する方法を確立した。本講演では蒸気圧の高いCo金属錯体を予測し、さらにニューラルネットワークポテンシャルを利用して、候補物質の反応性を解析した結果を報告する。