[16p-K202-1~12] Atomic Layer Process (ALP) analysis and application technologies

3:00 PM - 3:15 PM JST(6:00 AM - 6:15 AM UTC)

[16p-K202-5] Analysis of Surface Reactions during TiN Thin Film Deposition Process Using Atomic Simulation

〇(M2)Miyu Yoshida¹, Toi Murakami¹, Taichi Monden², Hu Li³, Halim Harry¹, Yoshitada Morikawa¹ (1.Osaka Univ., 2.TEL, 3.TEA)

Keywords:

TiN,ALD,Atomic Simulation

DRAM等の電極材料など半導体部品に使用されている窒化チタン(TiN)薄膜は原子層堆積法(ALD)法によって成膜されている。この成膜過程の表面反応の詳細は明らかになっていない。TiN薄膜の更なる膜質改善や面方位制御などに向けて、その詳細を原子シミュレーションを用いて解析した。