[16p-K202-1~12] 原子層プロセス（ALP：Atomic Layer Process）の解析技術と応用技術

15:00 〜 15:15

[16p-K202-5] 原子シミュレーションを用いたTiN成膜過程における表面反応の解析

〇(M2)吉田 美結¹、村上 透唯¹、門田 太一²、李 虎³、Harry Halim¹、森川 良忠¹ (1.阪大、2.TEL、3.TEA)

キーワード：

窒化チタン、原子層堆積法、原子シミュレーション

DRAM等の電極材料など半導体部品に使用されている窒化チタン(TiN)薄膜は原子層堆積法(ALD)法によって成膜されている。この成膜過程の表面反応の詳細は明らかになっていない。TiN薄膜の更なる膜質改善や面方位制御などに向けて、その詳細を原子シミュレーションを用いて解析した。