[16p-K202-1~12] Atomic Layer Process (ALP) analysis and application technologies

3:30 PM - 3:45 PM JST(6:30 AM - 6:45 AM UTC)

[16p-K202-6] Atomic-Scale Numerical Simulations of SiN atomic-layer deposition (ALD)

Abdullah Y. Jaber¹, Jomar U. Tercero¹, Tomoko Ito¹, Kazuhiro Karahashi¹, Kazumasa Ikuse¹, Michiro Isobe¹, 〇Satoshi Hamaguchi¹ (1.Osaka Univ.)

Keywords:

atomic layer deposition (ALD),plasma processing,molecular dynamics (MD) simulation

SiNの原子層堆積（ALD）の表面反応解析を目的として、分子動力学（MD）シミュレーションを行った。典型的なSiN ALDのサイクルは、ジクロロシラン（DCS）のようなプリカーサ吸着の第一半サイクルと、窒素・水素プラズマ照射による有機物の脱離・窒化の第二半サイクルからなる。本研究では、特に、トレンチ構造内部のSiN ALDプロセスにおいて、両側から堆積面が接する際の間隙の気相種輸送過程と表面反応機構について議論する。