[16p-K202-1~12] 原子層プロセス（ALP：Atomic Layer Process）の解析技術と応用技術

15:30 〜 15:45

[16p-K202-6] SiN 原子層堆積（ALD）の原子スケール数値シミュレーション

Abdullah Y. Jaber¹、Jomar U. Tercero¹、伊藤 智子¹、唐橋 一浩¹、幾世 和将¹、礒部 倫郎¹、〇浜口 智志¹ (1.阪大工)

キーワード：

原子層堆積（ALD)、プラズマプロセス、分子動力学シミュレーション

SiNの原子層堆積（ALD）の表面反応解析を目的として、分子動力学（MD）シミュレーションを行った。典型的なSiN ALDのサイクルは、ジクロロシラン（DCS）のようなプリカーサ吸着の第一半サイクルと、窒素・水素プラズマ照射による有機物の脱離・窒化の第二半サイクルからなる。本研究では、特に、トレンチ構造内部のSiN ALDプロセスにおいて、両側から堆積面が接する際の間隙の気相種輸送過程と表面反応機構について議論する。