[16p-K203-1~10] Novel functional oxide materials, devices, techniques for next generation transistor channel application

1:35 PM - 2:05 PM JST(4:35 AM - 5:05 AM UTC)

[16p-K203-2] Research on device scaling for oxide semiconductor transistors

〇Masaharu Kobayashi^1,2 (1.Univ. Tokyo, d.lab, 2.Univ. Tokyo, IIS)

Keywords:

oxide semiconductor,atomic layer deposition,scaling

IGZOをはじめとする酸化物半導体は集積デバイスへの応用が期待されている。集積デバイス応用に向けてはトランジスタの微細化が必須であり、そのためには成膜技術の確立とデバイス物理の理解が不可欠である。私たちは、微細化に欠かせないナノ薄膜の酸化物半導体の成膜方法と、ナノスケールの酸化物半導体トランジスタのキャリア輸送特性および特性ばらつきに関する研究を行ってきた。本講演ではその内容について報告する。