講演情報
[16p-K203-2]酸化物半導体トランジスタの微細化に関する研究
〇⼩林 正治1,2 (1.東大d.lab、2.東大生研)
キーワード：
酸化物半導体、原子層堆積法、微細化
IGZOをはじめとする酸化物半導体は集積デバイスへの応用が期待されている。集積デバイス応用に向けてはトランジスタの微細化が必須であり、そのためには成膜技術の確立とデバイス物理の理解が不可欠である。私たちは、微細化に欠かせないナノ薄膜の酸化物半導体の成膜方法と、ナノスケールの酸化物半導体トランジスタのキャリア輸送特性および特性ばらつきに関する研究を行ってきた。本講演ではその内容について報告する。