[16p-K203-1~10] Novel functional oxide materials, devices, techniques for next generation transistor channel application

5:05 PM - 5:35 PM JST(8:05 AM - 8:35 AM UTC)

[16p-K203-9] Highly Reliable Oxide Thin-Film Transistors with High Mobility demanded for Next Generation Flat Panel Displays

〇Yusaku Magari¹, Hiromichi Ohta¹ (1.RIES-Hokkaido Univ.)

Keywords:

Oxide semiconductors,Thin-film transistor,High mobility and reliability

アモルファスInGaZnO₄-TFTは、現在の液晶ディスプレイや有機ELディスプレイを駆動する重要なデバイスである。しかし、次世代ディスプレイの開発には、より高移動度で高い信頼性を有するTFTが求められており、IGZO-TFTでは太刀打ちできない。これに対し登壇者は、水素を添加し低温固相成長させたIn₂O₃薄膜をチャネルに、またIn₂O₃と格子整合するY₂O₃エピタキシャル薄膜を保護膜に用いることで、高移動度と高信頼性を兼ね備えた次世代TFTを実現した。