[16p-K203-1~10] 次世代トランジスタに向けた新規な機能性酸化物半導体チャネル材料・デバイス・作製技術の新展開

17:05 〜 17:35

[16p-K203-9] 次世代FPDの要求を満たす高移動度を示す安定な酸化物薄膜トランジスタ

〇曲 勇作¹、太田 裕道¹ (1.北大電子研)

キーワード：

酸化物半導体、薄膜トランジスタ、高移動度・高信頼性

アモルファスInGaZnO₄-TFTは、現在の液晶ディスプレイや有機ELディスプレイを駆動する重要なデバイスである。しかし、次世代ディスプレイの開発には、より高移動度で高い信頼性を有するTFTが求められており、IGZO-TFTでは太刀打ちできない。これに対し登壇者は、水素を添加し低温固相成長させたIn₂O₃薄膜をチャネルに、またIn₂O₃と格子整合するY₂O₃エピタキシャル薄膜を保護膜に用いることで、高移動度と高信頼性を兼ね備えた次世代TFTを実現した。