[16p-K301-1~13] 13.7 Compound and power devices, process technology and characterization

2:15 PM - 2:30 PM JST(5:15 AM - 5:30 AM UTC)

[16p-K301-2] Effect of High Temperature Annealing for Silicon-Cap-Annealed Contact on n-type 4H-SiC

〇Takahito Fukuzawa¹, Hiroaki Hanafusa¹, Seiichiro Higashi¹ (1.Hiroshima Univ.)

Keywords:

Silicon carbide,Ohmic contact,High-temperaturep property

シリコンキャップアニール(SiCA)を行った電極の熱的安定性を調査した。Al、Ni金属を堆積させたSiCA電極に対して、大気中にて300℃で加熱しながら測定し、100時間まで評価を行った。100時間経過後でもコンタクトの劣化が低く抑えられる結果となった。また、Mo金属を堆積させたSiCA電極に対して、Ar雰囲気中で600から1000℃で5分間加熱した後、室温での評価を行った。1000℃のアニール処理を経てもコンタクト抵抗率が悪化せず、高い安定性が得られた。