[16p-K301-1~13] 13.7 Compound and power devices, process technology and characterization

4:00 PM - 4:15 PM JST(7:00 AM - 7:15 AM UTC)

[16p-K301-8] Microscopic mechanism of expansion of basal plane dislocation (BPD) in 4H-SiC by first-principles calculations

〇(M2)Masaki Sano¹, Jun Kojima², Shoichi Onda², Takashi Yoda³, Takayuki Ohba³, Atsushi Oshiyama², Kenji Shiraishi^1,2 (1.Graduate School of Engineering, Nagoya Univ., 2.IMaSS, Nagoya Univ., 3.WOW Alliance, Inst. Sci. Tokyo)

Keywords:

SiC,BPD,Expansion

SiCデバイスの性能を大きく損なう原因であるBPDによる積層欠陥の拡張を抑制することは、現在重要な課題となっている。しかし、積層欠陥がどのように拡張するのか、その詳しいメカニズムはまだ十分に解明されていない。そのため本研究では、第一原理計算を用いて積層欠陥の微視的な拡張メカニズムを解明することを目的として研究を行った。