[16p-K301-1~13] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

16:00 〜 16:15

[16p-K301-8] 第一原理計算を用いた4H-SiC中の基底面転位(BPD)拡張メカニズムの解明

〇(M2)佐野 雅季¹、小島 淳²、恩田 正一²、依田 孝³、大場 隆之³、押山 淳²、白石 賢二^1,2 (1.名大院工、2.名大未来研、3.東京科学大学 WOW Alliance)

キーワード：

シリコンカーバイド、基底面転位、拡張

SiCデバイスの性能を大きく損なう原因であるBPDによる積層欠陥の拡張を抑制することは、現在重要な課題となっている。しかし、積層欠陥がどのように拡張するのか、その詳しいメカニズムはまだ十分に解明されていない。そのため本研究では、第一原理計算を用いて積層欠陥の微視的な拡張メカニズムを解明することを目的として研究を行った。