[16p-K401-1~16] 15.4 III-V-group nitride crystals

5:00 PM - 5:15 PM JST(8:00 AM - 8:15 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[16p-K401-15] The Effect of Ga Composition Ratio of Ga-Na melt on the Dislocation Density at the Coalescence Region of GaN Crystal Grown with the Na-flux Point Seed Technique

〇(M1)Ryotaro Sasaki¹, Shogo Washida¹, Masayuki Imanishi¹, Kosuke Murakami¹, Shigeyoshi Usami¹, Mihoko Maruyama¹, Masashi Yoshimura^1,2, Yusuke Mori¹ (1.Grad. Sch. of Eng., Osaka Univ, 2.ILE, Osaka Univ.)

Keywords:

Na-flux,GaN,dislocation

低転位密度GaN結晶の作製に向けて、本研究では低Ga組成条件をNaフラックス法におけるFFC技術に適用し、結晶形状と転位密度への影響を調査した。Ga組成19 mol%で作製した結晶は均一な形状を示し、結晶結合部上の転位密度が従来条件である27 mol%での2.54×10⁵ cm⁻²から1.85×10⁵ cm⁻²に低減した。低Ga組成条件が転位密度低減に有効であることが示された