講演情報
[16p-K401-15]Naフラックスポイントシード法においてGa組成比がGaN結晶合体領域の転位密度に与える影響
〇(M1)佐々木 稜太郎1、鷲田 将吾1、今西 正幸1、村上 航介1、宇佐美 茂佳1、丸山 美帆子1、吉村 政志1,2、森 勇介1 (1.阪大院工、2.阪大レーザー研)
キーワード：
Naフラックス、窒化ガリウム、転位
低転位密度GaN結晶の作製に向けて、本研究では低Ga組成条件をNaフラックス法におけるFFC技術に適用し、結晶形状と転位密度への影響を調査した。Ga組成19 mol%で作製した結晶は均一な形状を示し、結晶結合部上の転位密度が従来条件である27 mol%での2.54×10⁵ cm⁻²から1.85×10⁵ cm⁻²に低減した。低Ga組成条件が転位密度低減に有効であることが示された