[16p-K401-1~16] 15.4 III-V-group nitride crystals

2:45 PM - 3:00 PM JST(5:45 AM - 6:00 AM UTC)

[16p-K401-7] Impacts of ultra-high-pressure annealing on undoped and ion-implanted GaN epitaxial layers studied by photoluminescence measurements

〇Kohei Shima¹, Shoji Ishibashi², Akira Uedono³, Michal Bockowski^4,5, Jun Suda^5,6, Tetsu Kachi⁵, Shigefusa Chichibu¹ (1.IMRAM-Tohoku Univ., 2.AIST, 3.Univ. of Tsukuba, 4.IHPP PAS, 5.IMaSS-Nagoya Univ., 6.Nagoya Univ.)

Keywords:

GaN,Ion implantation,Photoluminescence

GaN MOSパワーデバイスの実現には、イオン注入(I/I)によるn型およびp型GaNセグメントの形成技術が必須であり、高い制御性と再現性を併せ持つ活性化アニールが必要となる。I/I誘起欠陥およびアニール時に形成される空孔クラスタの濃度を低減させる技術として近年、超高圧アニール(UHPA; ~1 GPa, ~1480 ºC)が注目されている。しかしながら、UHPA後も依然として空孔クラスタが残留することが報告されており、さらなる空孔濃度の低減が必要である。本講演では、UHPA条件が無添加GaN、Siイオン注入GaN、Mgイオン注入GaNのミッドギャップ再結合中心に与える影響をフォトルミネッセンス法により評価した結果を報告する。