講演情報
[16p-K401-7]超高圧アニール処理した無添加およびイオン注入GaNのフォトルミネッセンス評価
〇嶋 紘平1、石橋 章司2、上殿 明良3、Michal Bockowski4,5、須田 淳5,6、加地 徹5、秩父 重英1 (1.東北大多元研、2.産総研CD-FMat、3.筑波大数物系、4.IHPP PAS、5.名大IMaSS、6.名大工)
キーワード：
窒化ガリウム、イオン注入、フォトルミネッセンス
GaN MOSパワーデバイスの実現には、イオン注入(I/I)によるn型およびp型GaNセグメントの形成技術が必須であり、高い制御性と再現性を併せ持つ活性化アニールが必要となる。I/I誘起欠陥およびアニール時に形成される空孔クラスタの濃度を低減させる技術として近年、超高圧アニール(UHPA; ~1 GPa, ~1480 ºC)が注目されている。しかしながら、UHPA後も依然として空孔クラスタが残留することが報告されており、さらなる空孔濃度の低減が必要である。本講演では、UHPA条件が無添加GaN、Siイオン注入GaN、Mgイオン注入GaNのミッドギャップ再結合中心に与える影響をフォトルミネッセンス法により評価した結果を報告する。