[16p-K401-1~16] 15.4 III-V-group nitride crystals

3:00 PM - 3:15 PM JST(6:00 AM - 6:15 AM UTC)

[16p-K401-8] Deep-UV luminescence characteristics of BN thin films grown on a sapphire substrate by metalorganic vapor phase epitaxy

〇Kohei Shima¹, Haruto Tsujitani¹, Shigefusa Chichibu¹ (1.IMRAM-Tohoku Univ.)

Keywords:

BN,Metalorganic vapor phase epitaxy,Cathodoluminescence

sp²結合を有する二次元層状化合物である六方晶(h)BN(積層順AA’)は、間接遷移型半導体でありながら室温において禁制帯幅(約6 eV)に相当する波長215 nm付近の高効率励起子発光を呈するため、深紫外線発光材料として期待できる。sp²結合の多形である菱面体晶(r)BN(積層順ABC)およびBernal (b)BN(積層順AB)は、それぞれ室温において波長215 nmおよび207 nm付近の発光を呈するため興味深い。しかしながら、励起子発光を呈する高品位な気相成長BN薄膜の実現は、静大原らのハライド気相成長法(BCl₃/NH₃系)に限られている。本講演では、有機金属気相エピタキシャル(MOVPE)法によりsp²結合BN薄膜を成長させ、深紫外線発光特性を評価した結果を報告する。