[16p-P02-1~7] 8.2 Plasma deposition of thin film, plasma etching and surface treatment

[16p-P02-4] Control of Fluorine Termination Rate on Si Substrate to Decrease Nucleation in MoS₂ Synthesis

〇(M1)Ryotaro Kito¹, Akihisa Ogino¹ (1.Shizuoka Univ.)

Keywords:

molybdenum disulfide,sulfur hexafluoride mixed gas plasma,CVD

本研究では、二硫化モリブデン(MoS₂)の核形成低減のために、六フッ化硫黄(SF₆)混合ガスプラズマを用いてフッ素終端率を制御したSi基板上でMoS₂を熱CVD合成した。SF₆分圧p_SF6とプラズマ処理時間tの積p_SF6tに相当するフッ素ラジカルフルエンスにより、Si基板のフッ素終端率を制御した。プラズマ処理した基板上で合成されたMoS₂は、ドメインサイズが拡大し、核形成密度が低減した。