[16p-P02-1~7] 8.2 プラズマ成膜・エッチング・表面処理

[16p-P02-4] MoS₂合成の核形成低減のためのSi基板のフッ素終端率制御

〇(M1)鬼頭 怜太郎¹、荻野 明久¹ (1.静大院工)

キーワード：

二硫化モリブデン、六フッ化硫黄混合ガスプラズマ、化学気相成長

本研究では、二硫化モリブデン(MoS₂)の核形成低減のために、六フッ化硫黄(SF₆)混合ガスプラズマを用いてフッ素終端率を制御したSi基板上でMoS₂を熱CVD合成した。SF₆分圧p_SF6とプラズマ処理時間tの積p_SF6tに相当するフッ素ラジカルフルエンスにより、Si基板のフッ素終端率を制御した。プラズマ処理した基板上で合成されたMoS₂は、ドメインサイズが拡大し、核形成密度が低減した。