[16p-P13-1~5] 13.3 Insulator technology

[16p-P13-3] Evaluation of modification of SiO₂ thin film by flash lamp annealing treatment

〇Yoshiharu Kirihara¹, Kazuma Kyotani¹, Ryoichi Kawai¹, Shogo Shigemasu², Hideaki Tanimura², Shinichi Kato², Katsuhiro Mitsuda², Yuichiro Mitani¹, Hiroshi Nohira¹ (1.Tokyo City Univ., 2.SCREEN Semiconductor Solutions)

Keywords:

Flash lamp anneal,Hard X-ray Photoelectron Spectroscopy,SiO2

従来のSiO₂膜の高品質化には高温アニールが一般的であり、ファーネスやRTA等の熱平衡状態でのプロセスが主である。そこで我々は、SiO₂膜のさらなる高品質化のために、熱非平衡性の高いミリ秒での加熱が可能なフラッシュランプアニール(FLA)処理によるゲート酸化膜の改質を試みた。評価方法は角度分解硬X線光電子分光法およびC–V測定等の電気的特性である。C–V結果から、フラットバンド電圧シフトが観測され、酸化膜中の欠陥や化学結合状態が変化したことを示唆している。AR-HAXPES結果から、SiO₂ピークが高結合エネルギー(BE)側にシフトすることを確認した。これはSiO₂/Si界面付近のSi–O結合角が緩和していることを示唆している。