講演情報
[16p-P13-3]フラッシュランプアニール処理によるSiO2薄膜の改質の評価
〇桐原 芳治1、京谷 和磨1、川合 遼一1、繁桝 翔伍2、谷村 英昭2、加藤 慎一2、満田 勝弘2、三谷 祐一郎1、野平 博司1 (1.東京都市大、2.SCREENｾﾐｺﾝﾀﾞｸﾀｰｿﾘｭｰｼｮﾝｽﾞ)
キーワード：
フラッシュランプアニール、硬X線光電子分光法、SiO2
従来のSiO2膜の高品質化には高温アニールが一般的であり、ファーネスやRTA等の熱平衡状態でのプロセスが主である。そこで我々は、SiO2膜のさらなる高品質化のために、熱非平衡性の高いミリ秒での加熱が可能なフラッシュランプアニール(FLA)処理によるゲート酸化膜の改質を試みた。評価方法は角度分解硬X線光電子分光法およびC–V測定等の電気的特性である。C–V結果から、フラットバンド電圧シフトが観測され、酸化膜中の欠陥や化学結合状態が変化したことを示唆している。AR-HAXPES結果から、SiO2ピークが高結合エネルギー(BE)側にシフトすることを確認した。これはSiO2/Si界面付近のSi–O結合角が緩和していることを示唆している。