[16p-Y1311-1~15] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

1:00 PM - 1:15 PM JST(4:00 AM - 4:15 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[16p-Y1311-1] Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxial Growth of High-Density Nitrogen-Doped Ga₂O₃Thin Films by Simultaneously Supplying Oxygen and Nitrogen Radicals (1)

〇(M1)Jin Inajima¹, Kura Nakaoka¹, Shoki Taniguchi¹, Tomoki Uehara¹, Kohki Tsujimoto¹, Yusuke Teramura¹, Satoko Honda¹, Masataka Higashiwaki^1,2 (1.Osaka Metropolitan Univ., 2.NICT)

Keywords:

Gallium oxide,PAMBE

窒素 (N) は、Ga₂O₃中でディープアクセプタとして振る舞うことから、NドープGa₂O₃薄膜は様々なデバイスへの応用が期待される。本研究では、プラズマ援用分子線エピタキシー成長中に、酸素、Nラジカルを同時供給し、かつO₂流量を変化させることでGa₂O₃薄膜への高濃度Nドーピングを試みた。結果、最大でN ＝ 2.9 × 10²¹ cm^-3と極めて高濃度なNドーピングを実現した。