[16p-Y1311-1~15] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

13:00 〜 13:15奨励賞エントリー

[16p-Y1311-1] 酸素、窒素ラジカル同時供給による高濃度窒素ドープGa₂O₃薄膜のプラズマ援用MBE成長 (1)

〇(M1)稲嶌 仁¹、中岡 蔵¹、谷口 奨季¹、上原 知起¹、辻本 晃基¹、寺村 祐輔¹、本田 智子¹、東脇 正高^1,2 (1.大阪公立大院工、2.情通機構)

キーワード：

酸化ガリウム、PAMBE

窒素 (N) は、Ga₂O₃中でディープアクセプタとして振る舞うことから、NドープGa₂O₃薄膜は様々なデバイスへの応用が期待される。本研究では、プラズマ援用分子線エピタキシー成長中に、酸素、Nラジカルを同時供給し、かつO₂流量を変化させることでGa₂O₃薄膜への高濃度Nドーピングを試みた。結果、最大でN ＝ 2.9 × 10²¹ cm^-3と極めて高濃度なNドーピングを実現した。