[16p-Y1311-1~15] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

4:15 PM - 4:30 PM JST(7:15 AM - 7:30 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[16p-Y1311-12] Growth of water-insoluble rutile GeO₂ thin films enabled by graded Ge_xSn_1-xO₂ buffer layers

〇Kazuki Shimazoe¹, Ichiro Seike¹, Kazutaka Kanegae¹, Hiroyuki Nishinaka¹ (1.Kyoto Inst. Tech.)

Keywords:

Germanium dioxide,GeO2,mist CVD

ルチル構造の酸化ゲルマニウム(r-GeO₂)は約4.6 eVというワイドバンドギャップながらpn両極ドーピングが可能であることから、次世代のパワー半導体材料として有望である。本研究では組成を傾斜させたバッファ層を用いることで、単相のr-GeO₂の成長に成功した。更に550℃から850℃という従来よりも広い温度帯でのr-GeO₂の成長を実現できた。