[16p-Y1311-1~15] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

16:15 〜 16:30奨励賞エントリー

[16p-Y1311-12] 傾斜バッファ層による非水溶性ルチル構造酸化ゲルマニウム薄膜の成長

〇島添 和樹¹、清家 一朗¹、鐘ケ江 一孝¹、西中 浩之¹ (1.京都工繊電子)

キーワード：

酸化ゲルマニウム、GeO2、ミストCVD

ルチル構造の酸化ゲルマニウム(r-GeO₂)は約4.6 eVというワイドバンドギャップながらpn両極ドーピングが可能であることから、次世代のパワー半導体材料として有望である。本研究では組成を傾斜させたバッファ層を用いることで、単相のr-GeO₂の成長に成功した。更に550℃から850℃という従来よりも広い温度帯でのr-GeO₂の成長を実現できた。