[16p-Y1311-1~15] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

5:00 PM - 5:15 PM JST(8:00 AM - 8:15 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[16p-Y1311-15] Effects of electrode material and channel Ga concentration on contact resistance in polycrystalline Ga-doped In₂O₃ field-effect transistors

〇Hikaru Hoshikawa¹, Takanori Takahashi¹, Yukiharu Uraoka¹ (1.NAIST)

Keywords:

oxide semiconductor,Ga-doped In2O3,contact resistance

多結晶Ga-doped In₂O₃ (IGO) を用いた電界効果トランジスタ (FET) はしきい値電圧の制御が容易かつ、100 cm²/Vs程度の高い移動度を有するため、デバイスの高密度集積化に貢献することができる。一方で多結晶IGO-FETのチャネル長を微細化した場合、ON時のチャネル抵抗が減少する為、ソース/ドレイン領域における寄生/接触抵抗の影響が支配的になる。本研究では接触抵抗の低減手法確立にむけて多結晶IGO-FETおける電極材料とIGOチャネルの組成比が接触抵抗に及ぼす影響を評価した。