[16p-Y1311-1~15] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

17:00 〜 17:15奨励賞エントリー

[16p-Y1311-15] 多結晶Ga添加 In₂O₃電界効果トランジスタにおける電極材料及びチャネル中Ga濃度が接触抵抗に与える影響

〇星川 輝¹、高橋 崇典¹、浦岡 行治¹ (1.奈良先端大)

キーワード：

酸化物半導体、Ga-doped In2O3、接触抵抗

多結晶Ga-doped In₂O₃ (IGO) を用いた電界効果トランジスタ (FET) はしきい値電圧の制御が容易かつ、100 cm²/Vs程度の高い移動度を有するため、デバイスの高密度集積化に貢献することができる。一方で多結晶IGO-FETのチャネル長を微細化した場合、ON時のチャネル抵抗が減少する為、ソース/ドレイン領域における寄生/接触抵抗の影響が支配的になる。本研究では接触抵抗の低減手法確立にむけて多結晶IGO-FETおける電極材料とIGOチャネルの組成比が接触抵抗に及ぼす影響を評価した。