[16p-Y1311-1~15] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

1:15 PM - 1:30 PM JST(4:15 AM - 4:30 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[16p-Y1311-2] Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxial Growth of High-Density Nitrogen-Doped Ga₂O₃ Thin Films by Simultaneously Supplying Oxygen and Nitrogen Radicals (2)

〇(B)Kohki Tsujimoto¹, Kura Nakaoka¹, Shoki Taniguchi¹, Jin Inajima¹, Tomoki Uehara¹, Yusuke Teramura¹, Satoko Honda¹, YongGu Shim¹, Masataka Higashiwaki^1,2 (1.Osaka Metropolitan Univ., 2.NICT)

Keywords:

Gallium Oxide,PAMBE

我々は、Ga₂O₃ 薄膜のプラズマ援用分子線エピタキシー (PAMBE) 成長中に酸素ラジカルと窒素 (N) ラジカルを同時照射することで、Ga₂O₃ 薄膜への高濃度N ドーピングが可能であることを見出した。本研究では、高濃度NドープGa₂O₃薄膜に対し、原子間力顕微鏡やX線回折法による構造評価、および分光エリプソメトリ測定による光学的評価を行い、高濃度Nドーピングがその物性に与える影響を調査した。