[16p-Y1311-1~15] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

13:15 〜 13:30奨励賞エントリー

[16p-Y1311-2] 酸素、窒素ラジカル同時供給による高濃度窒素ドープGa₂O₃薄膜のプラズマ援用MBE成長 (2)

〇(B)辻本 晃基¹、中岡 蔵¹、谷口 奨季¹、稲嶌 仁¹、上原 知起¹、寺村 祐輔¹、本田 智子¹、沈 用球¹、東脇 正高^1,2 (1.大阪公立大院工、2.情通機構)

キーワード：

酸化ガリウム、PAMBE

我々は、Ga₂O₃ 薄膜のプラズマ援用分子線エピタキシー (PAMBE) 成長中に酸素ラジカルと窒素 (N) ラジカルを同時照射することで、Ga₂O₃ 薄膜への高濃度N ドーピングが可能であることを見出した。本研究では、高濃度NドープGa₂O₃薄膜に対し、原子間力顕微鏡やX線回折法による構造評価、および分光エリプソメトリ測定による光学的評価を行い、高濃度Nドーピングがその物性に与える影響を調査した。