[16p-Y1311-1~15] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

1:30 PM - 1:45 PM JST(4:30 AM - 4:45 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[16p-Y1311-3] Electrical Properties of Nitrogen-Doped Ga₂O₃ Schottky Barrier Diodes Grown by Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxy

〇(M1)Tomoki Uehara¹, Shoki Taniguchi¹, Kohki Tsujimoto¹, Kura Nakaoka¹, Jin Inajima¹, Yusuke Teramura¹, Satoko Honda¹, Masataka Higashiwaki^1,2 (1.Osaka Metropolitan Univ., 2.NICT)

Keywords:

Gallium oxide,Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxy

我々は、プラズマ援用分子線エピタキシー (PAMBE) を用いて、3 × 10¹⁸ cm^-3から3 × 10²¹ cm^-3 と幅広い濃度における、Ga₂O₃薄膜への窒素 (N) ドーピングに成功している。本研究では、PAMBE成長したNドープGa₂O₃薄膜を用いてショットキーバリアダイオードを作製し、静電容量–電圧特性評価を行った。結果、ドープしたNがディープアクセプタとして働き、電気的に活性であることを確認した。