[16p-Y1311-1~15] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

13:30 〜 13:45奨励賞エントリー

[16p-Y1311-3] プラズマ援用MBE成長した窒素ドープGa₂O₃ショットキーバリアダイオードの電気的特性

〇(M1)上原 知起¹、谷口 奨季¹、辻本 晃基¹、中岡 蔵¹、稲嶌 仁¹、寺村 祐輔¹、本田 智子¹、東脇 正高^1,2 (1.大阪公立大院工、2.情通機構)

キーワード：

酸化ガリウム、プラズマ援用分子線エピタキシー

我々は、プラズマ援用分子線エピタキシー (PAMBE) を用いて、3 × 10¹⁸ cm^-3から3 × 10²¹ cm^-3 と幅広い濃度における、Ga₂O₃薄膜への窒素 (N) ドーピングに成功している。本研究では、PAMBE成長したNドープGa₂O₃薄膜を用いてショットキーバリアダイオードを作製し、静電容量–電圧特性評価を行った。結果、ドープしたNがディープアクセプタとして働き、電気的に活性であることを確認した。