[16p-Y1311-1~15] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

1:45 PM - 2:00 PM JST(4:45 AM - 5:00 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[16p-Y1311-4] Growth of nitrogen-doped β-Ga₂O₃ homoepitaxial layers by HVPE

〇Yu Kono¹, Takatoshi Kikawa¹, Kentaro Kakuta¹, Yoshinao Kumagai^1,2 (1.Tokyo Univ. of Agric. and Technol., 2.TUAT FLOuRISH)

Keywords:

beta gallium oxide,epitaxy,p-type doping

β酸化ガリウム結晶では、縦型デバイス作製を念頭にその高純度層の高速成長や、n型・p型伝導制御が盛んに検討されている。当研究グループでは、ハライド気相成長(HVPE)法による高純度層(N_d－N_a < 10¹³ cm^-3)の高速成長と、SiCl₄をドーピングガスに用いたn型導電性制御を達成している。p型化については、高純度HVPEホモエピタキシャル層へのNイオン注入により達成されているが、イオン注入ダメージからの回復アニールが必須となる。そこで今回、HVPE成長中にNH₃をドーピングガスとして供給し、Nドープ層を直接成長することを検討した。